Про фізичну природу метастабільних властивостей аморфних напівпровідників
Електронна бібліотека НАПН України
View Archive Info| Field | Value | |
| Relation |
http://lib.iitta.gov.ua/704230/
|
|
| Title |
Про фізичну природу метастабільних властивостей аморфних напівпровідників
On the physical nature of metastable properties of amorphous semiconductors |
|
| Creator |
Семеріков, С.О.
Соловйов, В.М. Максимова, Т.І. |
|
| Subject |
001.89 Organization of science and scientific work
53 Physics |
|
| Description |
Проведено ab initio розрахунки нового типу дефекту в матеріалах з ковалентними зв'язками - орієнтаційної дефекту (ОД). ОД є типовим дефектний стан в аморфному тетраедрічному напівпровіднику, в околі якого не відбувається радикальної перебудови хімічних зв'язків: останні відчувають лише кутові і радіальні деформації. Існування орієнтаційних дефектів дозволяє переглянути традиційні уявлення про метастабільні властивості аморфних речовин і несуперечливо інтерпретувати широкий спектр особливостей їх поведінки як в умовах термодинамічної рівноваги, так і в стані, далекому від рівноважного (наприклад, ефект Стеблер-Вронського). Крім того, ОД можна розглядати як модель ангармонічні міжатомних потенціалів, які обумовлюють низькотемпературні аномалії фізичних властивостей невпорядкованих матеріалів. Деякі з них вперше розглянуті з нових позицій.
Carried out ab initio calculations of a new type of defect in materials with covalent bonds - orientation defect (OD). OD is a typical defective condition in the tetrahedral amorphous semiconductor in the vicinity of which there is no radical restructuring of chemical bonds: the last test only angular and radial deformation. The existence of orientation defects allows to review traditional ideas about the properties of metastable amorphous substances and consistently interpret a wide range of features of their behavior under conditions of thermodynamic equilibrium, and in a state far from equilibrium (for example, the effect Staebler-Wronski). In addition, money laundering can be seen as a model of anharmonic interatomic potentials, causing low-temperature anomalies of the physical properties of disordered materials. Some of them for the first time considered from a new angle. |
|
| Publisher |
Видавництво Східноукраїнського державного університету
|
|
| Date |
1998
|
|
| Type |
Article
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
|
|
| Identifier |
http://lib.iitta.gov.ua/704230/1/METASTAB.pdf
- Семеріков, С.О., Соловйов, В.М. and Максимова, Т.І. (1998) On the physical nature of metastable properties of amorphous semiconductors Збірник наукових праць Східноукраїнського державного університету. Серія «Машинобудування», 1. |
|