Record Details

Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5

Zhytomyr State University Library

View Archive Info
 
 
Field Value
 
Relation http://eprints.zu.edu.ua/10536/
http://portal.tpu.ru/science/konf/rtep
 
Title Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5
 
Creator Саченко, А. В.
Беляев, А. Е.
Болтовец, Н. С.
Конакова, Р. В.
Кудрик, Я. Я.
Новицкий, С. В.
Шеремет, В. Н.
Быков, Ю. В.
Егоров, Ю. В.
Еремеев, А. Г.
 
Subject QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
 
Description Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов
к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-
ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-
контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.
Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-
дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
 
Publisher Томск: Изд. ТПУ
 
Date 2012-10
 
Type Article
PeerReviewed
 
Format text
 
Language uk
russian
 
Identifier http://eprints.zu.edu.ua/10536/1/333-336_Konakova.pdf
Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.