Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций
Zhytomyr State University Library
View Archive Info| Field | Value | |
| Relation |
http://eprints.zu.edu.ua/10521/
http://journals.ioffe.ru/ftp/ |
|
| Title |
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций
|
|
| Creator |
Саченко, А. В.
Беляев, А. Е. Бобыль, А. В. Болтовец, Н. С. Иванов, В. Н. Капитанчук, Л. М. Конакова, Р. В. Кудрик, Я. Я. Миленин, В. В. Новицкий, С. В. Саксеев, Д. А. Тарасов, И. С. Шеремет, В. Н. Яговкина, М. А. |
|
| Subject |
QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
|
| Description |
На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических контактов к структурам n−n +−n ++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты. |
|
| Publisher |
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
|
|
| Date |
2012
|
|
| Type |
Article
PeerReviewed |
|
| Format |
text
|
|
| Language |
uk
russian |
|
| Identifier |
http://eprints.zu.edu.ua/10521/1/%D0%A4%D0%A2%D0%9F%202012%20T46%20%D0%923%20p348-355.pdf
Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222 |
|