Record Details

Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)

Zhytomyr State University Library

View Archive Info
 
 
Field Value
 
Relation http://eprints.zu.edu.ua/10519/
 
Title Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)
 
Creator Беляев, А. Е.
Болтовец, Н. С.
Иванов, В. Н.
Конакова, Р. В.
Кудрик, Я. Я.
Миленин, В. В.
Новицкий, С. В.
Шеремет, В. Н.
 
Subject QC Physics
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
 
Description Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-
действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-
ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-
ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-
шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).
Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-
ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.
 
Publisher Томский государственный университет
 
Date 2011
 
Type Article
PeerReviewed
 
Format text
 
Language uk
russian
 
Identifier http://eprints.zu.edu.ua/10519/1/14.pdf
Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.